固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志基礎(chǔ)信息：

《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志是南京電子器件研究所主辦的全國性學(xué)術(shù)季刊，向國內(nèi)外公開發(fā)行。國內(nèi)統(tǒng)一刊號：CN32-1110/TN，國際統(tǒng)一刊號：ISSN1000-3819。面向21世紀(jì)固體物理和微電子學(xué)領(lǐng)域的創(chuàng)新性學(xué)術(shù)研究。刊登的主要內(nèi)容為：無機(jī)和有機(jī)固體物理、硅微電子、射頻器件和微波集成電路、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、納米技術(shù)、固體光電和電光轉(zhuǎn)換、有機(jī)發(fā)光器件（OLED）和有機(jī)微電子技術(shù)、高溫微電子以及各種固體電子器件等方面的創(chuàng)新性科學(xué)技術(shù)報(bào)告和學(xué)術(shù)論文，論文和研究報(bào)告反映國家固體電子學(xué)方面的科技水平。

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志欄目設(shè)置：

本刊主要欄目：器件物理、射頻器件與電路、微電子學(xué)、光電子學(xué)、半導(dǎo)體材料。

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志訂閱方式：

ISSN：1000-3819，CN：32-1110/TN，地址：南京市1601信箱43分箱（南京市中山東路524號），郵政編碼：210016。

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固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志社投稿信息

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固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志社編輯部征稿超薄HfO_2高K柵介質(zhì)薄膜的軟擊穿特性納米級MOSFET器件模擬的載流子輸運(yùn)模型深槽Ni(Pt)Si/Si肖特基二極管特性研究AlGaN/GaN一維模型自洽求解和二維電子氣特性研究n溝道4H-SiCMESFET研究RF等離子輔助熱絲CVD法制備大面積β-SiC薄膜注入同步鎖相環(huán)式時(shí)鐘恢復(fù)電路MMIC的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)組合式非周期缺陷接地結(jié)構(gòu)中FDTD應(yīng)用研究一種X波段GaAs單片單刀雙擲開關(guān)與HBT工藝兼容的新型負(fù)阻器件的研制與分析HBT小信號等效電路參數(shù)解析提取HfO_2/TaON疊層?xùn)沤橘|(zhì)GepMOSFET制備及遷移率退化研究基于量子元胞自動(dòng)機(jī)的奇偶校驗(yàn)系統(tǒng)分塊設(shè)計(jì)基于碳納米管宏觀體的熱線式流速探針三終端量子環(huán)的透射概率和概率流密度應(yīng)變Si/(001)Si1-xGex價(jià)帶結(jié)構(gòu)超薄HfN界面層對HfO_2柵介質(zhì)GepMOSFET電性能的改進(jìn)四終端量子環(huán)自旋輸運(yùn)的性質(zhì)應(yīng)變Si(100)態(tài)密度模型橫向接觸式RFMEMS開關(guān)一種低功耗自動(dòng)頻率修正的復(fù)數(shù)濾波器設(shè)計(jì)一款應(yīng)用于GPS接收機(jī)的抗失配零中頻混頻器