半導體光電雜志基礎信息：

《半導體光電》雜志是專業技術性刊物。刊載半導體光電器件、光通信系統和光傳輸、光存貯、光計算、處理技術，以及攝像、傳感、遙感等方面的研究成果、學術論文、學位論文和工作報告，介紹光學、光子學、量子電子學、光電子學領域的新材料、新結構、新工藝、新器件，報道國內外該領域的研究和發展方向。讀者對象為半導體光電專業的科技人員和大專院校師生。

半導體光電雜志欄目設置：

本刊主要欄目：動態綜述、光電器件、材料、結構及工藝、光通信、光電技術應用。

半導體光電雜志訂閱方式：

ISSN：1001-5868，CN：50-1092/TN，地址：重慶市南坪花園路14號44所內，郵政編碼：400060。

半導體光電雜志社相關期刊

半導體技術雜志

半導體光電雜志社投稿信息

1.來稿要求論點明確、數據可靠、邏輯嚴密、文字精煉，每篇論文必須包括題目、作者姓名、作者單位、單位所在地及郵政編碼、摘要和關鍵詞、正文、參考文獻和第一作者及通訊作者（一般為導師）簡介（包括姓名、性別、職稱、出生年月、所獲學位、目前主要從事的工作和研究方向），在文稿的首頁地腳處注明論文屬何項目、何基金（編號）資助，沒有的不注明。

2.論文摘要盡量寫成報道性文摘，包括目的、方法、結果、結論4方面內容（100字左右），應具有獨立性與自含性，關鍵詞選擇貼近文義的規范性單詞或組合詞（3～5個）。

3.文稿篇幅（含圖表）一般不超過5000字，一個版面2500字內。文中量和單位的使用請參照中華人民共和國法定計量單位最新標準。外文字符必須分清大、小寫，正、斜體，黑、白體，上下角標應區別明顯。

4.文中的圖、表應有自明性。圖片不超過2幅，圖像要清晰，層次要分明。

5.參考文獻的著錄格式采用順序編碼制，請按文中出現的先后順序編號。所引文獻必須是作者直接閱讀參考過的、最主要的、公開出版文獻。未公開發表的、且很有必要引用的，請采用腳注方式標明，參考文獻不少于3條。

6.來稿勿一稿多投。收到稿件之后，5個工作日內審稿，電子郵件回復作者。重點稿件將送同行專家審閱。如果10日內沒有收到擬用稿通知（特別需要者可寄送紙質錄用通知），則請與本部聯系確認。

7.來稿文責自負。所有作者應對稿件內容和署名無異議，稿件內容不得抄襲或重復發表。對來稿有權作技術性和文字性修改，雜志一個版面2500字，二個版面5000字左右。作者需要安排版面數，出刊日期，是否加急等情況，請在郵件投稿時作特別說明。

8.請作者自留備份稿，本部不退稿。

9.論文一經發表，贈送當期樣刊1-2冊，需快遞的聯系本部。

10.請在文稿后面注明稿件聯系人的姓名、工作單位、詳細聯系地址、電話（包括手機）、郵編等信息，以便聯系有關事宜。

半導體光電雜志社編輯部征稿波導微環共振濾波器的濾波特性分析SOI基可變光學衰減器的回波損耗研究雙層異質結器件載流子復合位置的研究用于紅外單光子探測的APD二次封裝技術Si基Ge量子點光電探測器的研究GaN基MSM結構紫外探測器光響應特性兩基色白光LED的光視效能的研究1.55μmDFBLD光柵結構的優化設計用于紅外探測的非晶硅薄膜晶體管Er3+/Yb3+共摻磷酸鹽光纖放大器增益分析新模型光伏型光電探測器漂移-擴散模型的改進集成光波導微應力傳感器研究數字光電耦合器隔離性能及動態特性測試儀MEMS封裝用局部激光鍵合法及其實現InGaAs/InAlAs蓋帽層對InAs自組裝量子點發光性質的影響超晶格量子阱的溝道效應與光學雙穩態效應摻銻二氧化錫薄膜的噴霧熱解法制備與熱處理銦對GaN基激光器晶體質量的影響Ag/S/C共摻雜納米TiO2的制備與光催化活性可溶性PMOTOPV的合成及其光致發光性能二次退火對p型GaN的應變影響圓片直接鍵合界面表面能測試研究