微電子學(xué)雜志基礎(chǔ)信息：

《微電子學(xué)》雜志創(chuàng)辦于1970年，當(dāng)年試刊4期。1971年正式創(chuàng)刊，1976年因故停刊，1977年復(fù)刊。1979年以前每年不定期出版4～6期；1980年起正式定為雙月刊。創(chuàng)刊三十年來，在廣大讀者和作者的熱心支持和辛勤澆灌下，《微電子學(xué)》已經(jīng)成為半導(dǎo)體和微電子學(xué)界和業(yè)界頗具影響的專業(yè)期刊。《微電子學(xué)》主要報(bào)道國內(nèi)微電子科學(xué)和技術(shù)領(lǐng)域的最新科研成果，重點(diǎn)關(guān)注模擬集成電路和專用集成電路技術(shù)的研究及其產(chǎn)品的推廣應(yīng)用。讀者對(duì)象為：半導(dǎo)體行業(yè)科研人員、工程師、電子行業(yè)機(jī)關(guān)管理干部，各大專院校相關(guān)專業(yè)師生等。

微電子學(xué)雜志期刊榮譽(yù)：

《微電子學(xué)》雜志是《中文核心期刊要目總覽》認(rèn)定的“中文核心期刊”，英國INSPEC（SA）數(shù)據(jù)庫、美國《化學(xué)文摘》（CA）、《劍橋科學(xué)文摘》（CSA）、俄羅斯《文摘雜志》（AJ）、日本《科學(xué)技術(shù)文獻(xiàn)速報(bào)》（CBST）、波蘭《哥白尼索引》（IC）等國際知名數(shù)據(jù)庫的收錄期刊，《中國學(xué)術(shù)期刊綜合評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)庫》、《中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫》來源期刊和《中國科技論文統(tǒng)計(jì)與分析》的引用期刊。

微電子學(xué)雜志欄目設(shè)置：

本刊主要欄目有：研究論文、技術(shù)報(bào)告、綜合評(píng)述、技術(shù)展望、產(chǎn)品與應(yīng)用。

微電子學(xué)雜志訂閱方式：

ISSN：1004-3365，CN：50-1090/TN，地址：重慶市南坪花園路14號(hào)24所，郵政編碼：400060。

微電子學(xué)雜志社相關(guān)期刊

沒有相關(guān)工業(yè)

微電子學(xué)雜志社投稿信息

1.頁面設(shè)置應(yīng)按下面格式：字?jǐn)?shù)/行數(shù)：46字/46行；頁邊距設(shè)為：上2.54厘米，下2.54厘米，左2厘米，右2厘米；文章篇名為二號(hào)黑體，正文內(nèi)容為5號(hào)宋體；文章正文和參考文獻(xiàn)設(shè)為雙欄，中英文篇名及摘要等設(shè)為通欄。

2.文章應(yīng)包含摘要和3～8個(gè)關(guān)鍵詞，還須附上相應(yīng)的英文題名、摘要、關(guān)鍵詞、作者單位正式對(duì)外英譯名。文后應(yīng)附150字以內(nèi)的第一作者簡歷（含姓名、出生年月、性別、籍貫、民族等）。基金項(xiàng)目請注明編號(hào)。

3.標(biāo)題和摘要。論文標(biāo)題不超過20個(gè)漢字。中英文摘要應(yīng)簡明扼要，說明文章的目的，主要工作過程及使用的方法，研究工作最后得到的結(jié)果和結(jié)論。中文摘要不超過300個(gè)漢字，英文摘要不超過150個(gè)英文單詞。

4.作者簡介。作者簡介應(yīng)包括：作者姓名、出生年、性別、民族、籍貫、職稱/學(xué)位，和主要研究方向。

5.圖。文內(nèi)插圖應(yīng)精選，以不超過5幅為宜。插圖寬度應(yīng)小于8cm。插圖中的文字應(yīng)清晰可辨，字號(hào)統(tǒng)一選用小五號(hào)，中文選仿宋體，西文選TimesNewRoman。電路仿真圖及其他計(jì)算機(jī)生成的圖形須用圖形處理軟件進(jìn)行必要的處理，使圖中的文字和數(shù)字符合本刊要求。若有彩色圖形，請轉(zhuǎn)換成黑白圖形。若圖中有坐標(biāo)，需注明坐標(biāo)所表示的物理量（斜體）和單位（正體）。若有圖注，放在圖的下部。每幅圖均應(yīng)標(biāo)明圖號(hào)，給出圖題。

6.表。表格提倡三線表，必要時(shí)可加輔助線。表號(hào)和表題放在表上。表中參數(shù)應(yīng)標(biāo)明量和單位（用符號(hào)），若單位相同，可統(tǒng)一寫在表關(guān)或表頂線上右側(cè)。若有表注，寫在表底線下左側(cè)。

7.量和單位。文中的物理量和單位應(yīng)符合國家有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。注意區(qū)分外文字母的大、小寫,正、斜體、上下角標(biāo)要標(biāo)示清楚。計(jì)量單位請用GB3100—3102—93《量和單位》規(guī)定的法定計(jì)量單位。

8.參考文獻(xiàn)。文后參考文獻(xiàn)的著錄應(yīng)符合國家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。主要有以下幾種形式：

a.專著：[序號(hào)]　著者.書名[M].出版地:出版者，出版年.起止頁碼（任選）.

b.期刊：[序號(hào)]　著者.篇名[J].刊名，出版年；卷號(hào)（期號(hào)）：起止頁碼.

c.論文集：[序號(hào)]著者.篇名[A].會(huì)議名[C].開會(huì)地，出版年.起止頁碼.

9.請注明作者工作單位和詳細(xì)通訊地址及聯(lián)系電話或電子信箱。單位或聯(lián)系人地址如有變動(dòng)，請及時(shí)通知編輯部。

微電子學(xué)雜志社編輯部征稿60Coγ射線低能散射對(duì)CMOS器件電離輻射效應(yīng)的影響總劑量輻射效應(yīng)中的輻射源及劑量測量基于動(dòng)態(tài)計(jì)算可觀測性無關(guān)項(xiàng)的OBDD變量序算法超大容量語音系統(tǒng)的存貯方法研究單片MCU內(nèi)部的電磁兼容性設(shè)計(jì)研究子網(wǎng)絡(luò)故障模型及其應(yīng)用SiGeMOS器件SiO_2柵介質(zhì)低溫制備技術(shù)研究硅的橫向刻蝕技術(shù)研究無線通信領(lǐng)域MEMS器件的研究進(jìn)展CMOS單元版圖生成算法綜述I2C總線接口技術(shù)在視頻處理芯片中的應(yīng)用低功耗CMOS低噪聲放大器的分析與設(shè)計(jì)一種增益可控音頻前置放大器電路的設(shè)計(jì)一種12位50MSPS流水線逐次逼近A/D轉(zhuǎn)換器一種基于高壓工藝的高精度電流采樣電路一種用于半并行A/D轉(zhuǎn)換器的比較器設(shè)計(jì)通用二階曲率補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電壓源數(shù)字電視調(diào)諧器中鎖相環(huán)鎖定時(shí)間的計(jì)算一種應(yīng)用于DSP嵌入式存儲(chǔ)器的靈敏放大器設(shè)計(jì)一種可切換的雙頻段CMOS低噪聲放大器一種新型低電壓極限電流檢測電路CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術(shù)