半導體光電雜志基礎信息：

《半導體光電》雜志是專業(yè)技術(shù)性刊物。刊載半導體光電器件、光通信系統(tǒng)和光傳輸、光存貯、光計算、處理技術(shù)，以及攝像、傳感、遙感等方面的研究成果、學術(shù)論文、學位論文和工作報告，介紹光學、光子學、量子電子學、光電子學領(lǐng)域的新材料、新結(jié)構(gòu)、新工藝、新器件，報道國內(nèi)外該領(lǐng)域的研究和發(fā)展方向。讀者對象為半導體光電專業(yè)的科技人員和大專院校師生。

半導體光電雜志欄目設置：

本刊主要欄目：動態(tài)綜述、光電器件、材料、結(jié)構(gòu)及工藝、光通信、光電技術(shù)應用。

半導體光電雜志訂閱方式：

ISSN：1001-5868，CN：50-1092/TN，地址：重慶市南坪花園路14號44所內(nèi)，郵政編碼：400060。

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2.論文摘要盡量寫成報道性文摘，包括目的、方法、結(jié)果、結(jié)論4方面內(nèi)容（100字左右），應具有獨立性與自含性，關(guān)鍵詞選擇貼近文義的規(guī)范性單詞或組合詞（3～5個）。

3.文稿篇幅（含圖表）一般不超過5000字，一個版面2500字內(nèi)。文中量和單位的使用請參照中華人民共和國法定計量單位最新標準。外文字符必須分清大、小寫，正、斜體，黑、白體，上下角標應區(qū)別明顯。

4.文中的圖、表應有自明性。圖片不超過2幅，圖像要清晰，層次要分明。

5.參考文獻的著錄格式采用順序編碼制，請按文中出現(xiàn)的先后順序編號。所引文獻必須是作者直接閱讀參考過的、最主要的、公開出版文獻。未公開發(fā)表的、且很有必要引用的，請采用腳注方式標明，參考文獻不少于3條。

6.來稿勿一稿多投。收到稿件之后，5個工作日內(nèi)審稿，電子郵件回復作者。重點稿件將送同行專家審閱。如果10日內(nèi)沒有收到擬用稿通知（特別需要者可寄送紙質(zhì)錄用通知），則請與本部聯(lián)系確認。

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8.請作者自留備份稿，本部不退稿。

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半導體光電雜志社編輯部征稿波導微環(huán)共振濾波器的濾波特性分析SOI基可變光學衰減器的回波損耗研究雙層異質(zhì)結(jié)器件載流子復合位置的研究用于紅外單光子探測的APD二次封裝技術(shù)Si基Ge量子點光電探測器的研究GaN基MSM結(jié)構(gòu)紫外探測器光響應特性兩基色白光LED的光視效能的研究1.55μmDFBLD光柵結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設計用于紅外探測的非晶硅薄膜晶體管Er3+/Yb3+共摻磷酸鹽光纖放大器增益分析新模型光伏型光電探測器漂移-擴散模型的改進集成光波導微應力傳感器研究數(shù)字光電耦合器隔離性能及動態(tài)特性測試儀MEMS封裝用局部激光鍵合法及其實現(xiàn)InGaAs/InAlAs蓋帽層對InAs自組裝量子點發(fā)光性質(zhì)的影響超晶格量子阱的溝道效應與光學雙穩(wěn)態(tài)效應摻銻二氧化錫薄膜的噴霧熱解法制備與熱處理銦對GaN基激光器晶體質(zhì)量的影響Ag/S/C共摻雜納米TiO2的制備與光催化活性可溶性PMOTOPV的合成及其光致發(fā)光性能二次退火對p型GaN的應變影響圓片直接鍵合界面表面能測試研究