半導體情報雜志
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本刊以馬列主義、毛澤東思想、鄧小平理論和“三個代表”重要思想為指導,全面貫徹黨的教育方針和“雙百方針”,理論聯系實際,開展教育科學研究和學科基礎理論研究,交流科技成果,促進學院教學、科研工作的發展,為教育改革和社會主義現代化建設做出貢獻。
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ISSN:1001-5507,CN:13-1110/TN,郵發代號:18-60,地址:石家莊市179信箱46分箱,郵編:050002。
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半導體情報雜志社編輯部征稿2011(第四屆)中國微納電子技術交流與學術研討會成功召開2011年第48卷總目次2011(第四屆)中國微納電子技術交流與學術研討會成功召開技術論壇量子元胞自動機器件和電路的研究進展器件與技術石墨烯/Si晶體管的研究進展半導體量子點敏化太陽電池的最新進展材料與結構Ti—Al—V—O納米管陣列的制備與熱穩定性研究C20富勒烯分子及C20^±富勒烯離子特性分析與比較用于OLED的碳納米管MEMS與傳感器MEMS交叉梳齒光柵設計和優化基于SP4T開關的4位MEMS開關線式移相器設計加工、測量與設備Si0.2Ge0.8/Ge異質結的離子束輔助固相外延生長基于高效太陽電池的光誘導鍍技術基于介電泳機理的金納米顆粒傳感器裝配方法300mm銅膜低壓CMP速率及一致性本文html鏈接: http://m.35694.cn/qkh/23218.html